Samsung удалось создать прототип первого 3-нм техпроцесса

3 нм процесс основан на технологии GAAFET. Эта технология позволит уменьшить общий размер кремния на 35% и энергопотребление на 50%. Плюс ко всему этому позволяет увеличить производительность на 33% по сравнению с 5 нм процессом. 
Над новым техпроцессом Samsung начал работать год назад. Запуск массового производства планировался в 2021 году. 

Конечная цель корейского гиганта- стать производителем полупроводников номер один в мире к 2030 году.

Источник: infa100ka
+ 0 -

Добавить комментарий

Кликните на изображение чтобы обновить код, если он неразборчив